大傢好，我是記得誠。
手機VBUS電路上，一般會有OVP防護，今天簡單聊一聊這個電路。
OVP的全稱是Over Voltage Protection，意為過壓保護，在手機VBUS上加過壓保護電路，一般有如下幾個原因：
1、手機充電，用一些非原裝劣質的充電器，會導致VBUS輸出異常，異常的高電壓會損壞手機內部芯片。
2、在一些不發達國傢，如東南亞，電網不穩定，也會導致VBUS輸出異常。
3、作者之前做過車載電子，在一些大卡車，車載電平是24V的，點火狀態，最高電壓能到28.XV，此時在車上給手機充電時，也會有浪湧的風險。
VBUS電路一般是TVS+OVP結合防護，下圖是典型的應用電路。
USB port的電壓通過R1和R2分壓，達到OVLO閾值時，OVP內部的開關會斷開，避免高壓損壞後端負載，未達到閾值時，OVP內部開關正常導通，電路正常工作。
OVP芯片在選型時，有幾個參數需要註意：
1. TVS的鉗位電壓VCL要小於OVP的最大輸入電壓，這個TVS屬於一級防護，抗300V浪湧，OVP的最大輸入電壓其實指的是內部NMOS的DS耐壓。
2. Cin的額定電壓需要註意，外部加TVS時，Cin的電壓應大於TVS最大鉗位電壓，外部無TVS時，建議用50V的。
3. Cout的額定電壓需要大於OVP的閾值，如6.8V的閾值，電容電壓選10V及以上。
4. 帶ADJ的OVP，可以通過R1和R2來調節閾值電壓，和固定閾值電壓的OVP相比，缺點是增加瞭OVP的關斷時間。
5. OVP的關斷時間，80ns、100ns和120ns居多，這個時間越短越好，能夠及時的關斷殘壓。
6. 導通電阻Ron，內部MOS的參數，因為後端是連接到充電電路，這個值越小越好，尤其是大電流充電。
7. Surge電壓，這個指OVP內部TVS管防浪湧的電壓，一般在100V/120V，屬於二級防護。
OVP芯片內部防浪湧TVS管
今天的分享到這裡就結束瞭，希望對你有幫助，我們下一期見。
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